图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:10683 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:8985 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:8985 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Depletion |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 6000@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大功率耗散 | 360 |
| 最大连续漏极电流 | 0.17 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 连续漏极电流 | 0.17 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 0.36 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 6000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.9 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 2.8 nC |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 下降时间 | 27 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 170 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.9 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 身高 | 1.1 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 2.9 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| 上升时间 | 2.7 ns |
| 技术 | Si |
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